亚洲国产精品无码久久98,日日碰狠狠躁久久躁少妇熟女人妻,国产又黄又爽又猛免费视频播放,一路向北高清完整版免费观看

13311665350

技術(shù)文章

TECHNICAL ARTICLES

當前位置:首頁技術(shù)文章使用化學(xué)氣相沉積爐做實驗時有如下幾個特點

使用化學(xué)氣相沉積爐做實驗時有如下幾個特點

時間:2021-12-15點擊次數(shù):1527
   CVD技術(shù)主要使用的設(shè)備是化學(xué)氣相沉積爐,該設(shè)備主要應(yīng)用于各種CVD實驗,也可用于真空燒結(jié)、真空氣氛保護燒結(jié)、納米材料制備、電池材料制備等多研究領(lǐng)域。
  化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無機合成化學(xué)的一個新領(lǐng)域。
  使用化學(xué)氣相沉積爐做實驗時,有如下特點:
  1、設(shè)備的工藝操作都較簡單、靈活性較強,能制備出配比各異的單一或復(fù)合膜層和合金膜層;
  2、CVD法的使用性較廣泛,可制備各種金屬或金屬膜涂層;
  3、因沉積速率可高達每分鐘幾微米到數(shù)百微米,因此生產(chǎn)效率高;
  4、與PVD法相比較繞射性好,非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基本,如槽溝、涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜;
  5、涂層致密性好,由于成膜過程溫度較高,膜基界面上的附著力很強,故膜層十分牢固;
  6、承受放射線輻射后的損傷較低,能與MOS集成電路工藝相融合。
  CVD技術(shù)的不足,一是沉積溫度高可達800-1100°C,在這樣高的溫度下工件易于變形,特別是對于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件,對于其用途會受到一定的限制,二是由于參與沉積的反應(yīng)物質(zhì)及反應(yīng)后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蝕性,因此需要采取一定的防護措施。

關(guān)注微信號

移動端瀏覽
熱線電話:13311665350

Copyright © 2024上海皓越真空設(shè)備有限公司 All Rights Reserved    備案號:滬ICP備2022033023號-1

技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)    管理登錄    sitemap.xml    總訪問量:595055