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還不了解什么是PECVD系統(tǒng)?請(qǐng)看這里!

時(shí)間:2024-10-08 點(diǎn)擊次數(shù):1602
   什么是PECVD系統(tǒng)?它是化學(xué)氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。它是一種PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的管式爐系統(tǒng),它由500W射頻電源、帶有200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空泵和三通道質(zhì)量流量計(jì)氣體流動(dòng)系統(tǒng)組成。它可以混合1-3種氣體用于CVD或擴(kuò)散。
  
  化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域,PCEVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積英文的各個(gè)詞字母的首字母。
  
  PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
  
  注意事項(xiàng):
  1、設(shè)備爐膛溫度≥200℃時(shí),禁止打開爐膛,避免受到傷害;
  2、設(shè)備使用時(shí),爐管內(nèi)壓力不得超過0.02MPa(絕對(duì)壓力),以防止壓力過大造成設(shè)備損壞;
  3、當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài);
  4、在對(duì)樣品加熱時(shí),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),絕對(duì)壓力表讀數(shù)不要大于0.02MPa,必須立刻打開排氣端閥門,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。

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